Ученые Университета штата Канзас обнаружили, что введение дополнительных компонентов в ультратонкие материалы способно привести к значительному совершенствованию электронных и термических устройств. Профессор-химик Вильям Хонстед и возглавляемая им группа выяснили, что внедрение атомов золота в новый материал (толщиной всего в три атома) дисульфид молибдена улучшает его электрические характеристики. Ученые постоянно думают над тем, как сделать электронику компактнее, материалы прочнее. Хотя современные технологии развиваются, аккумулирующая емкость все равно не теряет своей популярности.
Результаты исследования могут послужить в деле совершенствования транзисторов, фотодетекторов, сенсоров и термических проводящих покрытий, отмечает исследователь Викас Берри. С практической точки зрения, речь может идти о создании сверхбыстрых и сверхтонких устройств. А скорость работы и минимальная толщина девайсов это именно те характеристики, которые в наибольшей степени интересуют пользователей.
Как сообщает сетевой научный портал e! Science News, лаборатория Викаса Берри изучает свойства нескольких наноматериалов нового поколения, толщиной всего в несколько атомов. Речь идет и о графене и о борно-нитридных слоях. Эти материалы предназначены для применения в электронике, композитах с высокими механическими свойствами и новейших биотехнологических решениях. Примером новейшего нанобиокомпозитного материала может служить материал с использованием крылышек бабочки. Викас Берри высоко отзывается о перспективах тончайших материалов:
Если смотреть в будущее, то эти структуры с атомарной толщиной в потенциале могут произвести революцию в электронике, будучи используемыми в устройствах, толщина которых составит всего несколько атомов.
В рамках недавнего исследования Берри и возглавляемая им научная группа сосредоточились на транзисторах из дисульфида молибдена (MoS2), материала, который был выделен всего два года тому назад. Материал является листом, толщина которого составляет всего три атома. Он в большей степени подходит для использования в транзисторах, чем лист графена, толщина которого всего один атом углерода.
В процессе изучения структуры дисульфида молибдена, ученые осознали, что серная основа материала хорошо сочетается с благородными металлами, в том числе и с золотом. При установлении соединения между наноструктурами дисульфида молибдена и золота, полученное соединение становится превосходным конденсатором.
Результаты проведенной работы способны существенно усовершенствовать электронику будущего, сделав ее сверхтонкой. Учеными был найден путь снижения энергопотребления этих грядущих ультратонких устройств.
В планах ученых заняться более сложными конструкциями на основе дисульфида молибдена. Речь идет о логических устройствах и сенсорах.
